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这一原因是很多关注的是,半导体行业的许多人都已预测NAND闪存—到目前为止,在计算机中使用的最流行的当前形式的非易失性记忆,便携式音乐播放器,智能手机和其他设备—可能会达到其限制。大多数NAND闪存今天发布的使用30至40nm的过程生产,主导公司称他们可以在明年左右的20-30nm流程中生产产品。

一些闪存制造商,包括三星,说他们相信他们可以继续缩放NAND技术。其他人,如Sandisk,正在谈论用于增加他们可以存储的每个单元格数量的新技术。但是,记忆力行业的其他人担心该技术不会扩展到更小的几何形状。

因此,许多内存公司正在研究替代方案,例如相变内存,这承诺扩展到更小节点的能力。该技术涉及在多晶和非晶态和后退之间改变材料的热量,类似于数据存储在可重写CD上的方式。例如,Numonyx最初是Chimmakers Intel和ST微电子的合资企业,目前正在被Micron Technology获得,它表示,它在2008年底发布了相变内存样本,并表示它将开始运输的相变存储器产品今年。但是我们避免了’t seen them yet.

威廉姆斯表示,惠普现在正在转换忆阻技术的过程中“from lab to fab”:换句话说,将其移动到制造环境中以创建原型。他说,创造和迭代原型需要至少18个月,然后另外18个月才能增加生产“如果一切顺利。”

威廉姆斯说,惠普不会做自己的制造业;相反,它将通过伙伴关系,典型的铸造关系完成。“我们设想了一个联合开发过程,我们和合作伙伴共同努力,让所有的错误效果,了解最终产品的样子,” Williams said.

但他说,制造不需要特殊技术,没有特殊材料。第一装置可能使用当天的传统光刻制造,二氧化钛是世界上每个工厂中使用的材料。“实际上,如果他们有设计,那么任何人都可以这样做,” Williams said.

在大约三年内,在带有四层设备的25nm节点上,您可以获得大约20GB /平方厘米,他说,注意到了“cross-bar”结构允许更多密度。“我们预计这将是大致翻倍的闪存可以同时交付,”威廉姆斯说。然后注意到实验室中的3nm零件的创建,“我们认为这项技术可以比闪存扩展得多。”

威廉姆斯还表示他相信忆忆技术“本质上更便宜”而不是其他形式的记忆,因为它具有非常简单的结构,易于布局。他承认,由于其他技术,如闪存,已经在市场上,忆内镜头将面临“升高并进入卷的问题,让我们利用规模经济。”但他说他感觉到了“pretty confident” and “急于看看它是如何发挥的。”